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RIE plasma etcher Etchlab 200

Cuenta con los beneficios de carga directa efectiva para RIE. Permite la carga de las muestras para el procesamiento de manera fácil y rápida. Se trata de un equipo modular, flexible y ocupa poco espacio

Plasma_Etchlab 200Rentabilidad

El sistema de grabado por plasma RIE Etchlab 200 combina un diseño fuente de plasma de placas paralelas con carga directa.

Capacidad de actualización

De acuerdo a su diseño modular, el RIE plasma etcher Etchlab 200 se puede actualizar a una unidad mayor de bombeo, carga cerrada de vacío, y líneas de gas adicionales.

Software de control SENTECH

Este equipo está equipado con un potente software fácil de usar con interfaz gráfica de usuario mímica GUI, ventana de parámetros, editor de recetas, registro de datos, gestión de usuarios.

Silicon micostructures Plasma_Etchlab 200El sistema Etchlab 200 representa una familia de RIEs de carga directa que combina las ventajas de un diseño de electrodos de placas paralelas de RIE con el diseño más rentable de carga directa. La carga rápida de muestras a partir de piezas de tamaños de 200 mm o 300 mm de diámetro de oblea se realiza directamente sobre el electrodo.

La flexibilidad, modularidad y un tamaño reducido son características de diseño de los Etchlab 200. Ventanas de diagnóstico grandes ubicadas en el electrodo superior y el reactor se pueden acomodar fácilmente en el interferómetro láser SENTECH o OES y sistemas RGA. Existen puertos para elipsómetro para la supervisión de procesos utilizando ellipsómeteros insitu SENTECH. Etchlab 200 puede ser configurado para el procesamiento de materiales que son compatibles con la carga directa de la oblea, incluyendo, pero no limitado a compuestos de silicio y silicio, compuestos semiconductores, dieléctricos y metales.

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