Inicio > Productos > Nanotecnología > Grabado asistido por plasma (RIE/ICP) y ALD > ICP-RIE plasma etcher SI 500

ICP-RIE plasma etcher SI 500

Utiliza un plasma de acoplamiento inductivo con baja energía de iones para el grabado minimizando el daño de estructuras nano.

Plasma_SI500Grabado con daños bajos

Gracias a la baja energía de iones utilizada y a la estrecha distribución de energía de iones se pueden realizar grabados con daños mínimos en nuestros equipos ICP de grabado por plasma.

Grabados a alta velocidad

Alta tasa de ataque químico de plasma de Si para MEMS con alta relación de aspecto se lleva a cabo fácilmente, ya sea usando procesos alternantes a temperatura ambiente o procesos criogénicos para paredes laterales lisas.

Fuente de plasma “inhouse” ICP

La Fuente basada en antena espiral plana (PTSA) es una característica única de los sistemas de proceso de plasma de alta gama de SENTECH. La fuente PTSA genera plasma homogéneo con alta densidad de iones y bajo consumo de energía de iones. Cuenta con alta eficiencia de acoplamiento y muy buen comportamiento de encendido para el procesado de una gran variedad de materiales y estructuras.

Plasma_SI500 AIGaAsControl dinámico de la temperatura

Los criterios para un grabado de alta calidad son ajuste de la temperatura del sustrato y estabilidad durante los procesos de grabado de plasma. El electrodo del sustrato del ICP con control dinámico de temperatura en combinación con el enfriamiento en el “backside” y la detección de temperatura, ofrece excelentes condiciones de procesado en un amplio rango de temperaturas de -150 ° C hasta 400 ° C.

Álava Ingenieros utiliza cookies propias para ofrecerle un mejor servicio. Si continúa navegando, consideramos que acepta su uso.