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Depósito asistido por plasma (PECVD)

El depósito de capas mediante PECVD permite obtener películas delgadas de una gran variedad de materiales que se depositan sobre un substrato.

Logo SentechPara realizar el proceso de PECVD, se suministra energía eléctrica a una mezcla de gases en condiciones de bajo vacío para generar el plasma. Los componentes de este plasma pueden reaccionar sobre el sustrato.

El resultado de esta reacción permite el depósito de una capa superficial con gran uniformidad y calidad sobre el sustrato. Estos procesos de depósito se emplean para depositar materiales (Silicio, carbono, nanotubos de carbono, nitruro de silicio, nitruro de titanio, etc) en diversas formas, monocristalinos, policristalinos, amorfos y epitaxiales.

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